【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】近日，依托先進(jìn)光場顯示芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、學(xué)校光量子與納機(jī)電集成交叉科學(xué)中心，北京理工大學(xué)物理學(xué)院/前沿交叉研究院武旭教授課題組與我校集成電路學(xué)院、武漢大學(xué)物理與技術(shù)學(xué)院、中國科學(xué)院物理研究所開展合作，在二維材料Janus結(jié)構(gòu)調(diào)控和電荷密度波態(tài)對稱性破缺機(jī)理研究方面取得重要進(jìn)展。相關(guān)研究成果以“Unusual charge density wave introduced by the Janus structure in monolayer vanadium dichalcogenides”為題發(fā)表在國際知名期刊《Science Advances》上，論文第一作者為北京理工大學(xué)畢業(yè)博士生許自強(qiáng)、邵巖教授、在讀博士生黃純和武漢大學(xué)在讀博士生朱超。通訊作者為北京理工大學(xué)武旭教授、喬婧思教授、王業(yè)亮教授和武漢大學(xué)張晨棟教授。
研究課題組成功發(fā)展出原子層級Se化工藝，以此為基礎(chǔ)實現(xiàn)了單層Janus結(jié)構(gòu)VTeSe材料的可控制備。進(jìn)一步，借助掃描隧道顯微鏡技術(shù)，對材料的電荷密度波(CDW)現(xiàn)象進(jìn)行原子級成像，觀測到具有獨特對稱性的“√13×√13”超周期，該結(jié)構(gòu)具有顯著的三重旋轉(zhuǎn)對稱性破缺。通過理論計算與實驗結(jié)合，團(tuán)隊揭示了這種CDW態(tài)與材料內(nèi)部自旋排列緊密相關(guān)，而不是單一的傳統(tǒng)電子-聲子耦合作用機(jī)理。該成果不僅為二維過渡金屬硫族化合物(TMD)的原子級結(jié)構(gòu)調(diào)控提供了新的制備工藝技術(shù)，也對對稱性調(diào)控與量子態(tài)設(shè)計提供了全新思路，推動二維材料的物態(tài)調(diào)控和相關(guān)的基礎(chǔ)以及應(yīng)用科學(xué)研究。
圖1 單層Janus VTeSe的制備流程示意圖和原子級結(jié)構(gòu)表征結(jié)果。
圖2 二維VTe2和具有Janus結(jié)構(gòu)VTeSe兩種材料電荷密度波結(jié)構(gòu)的原子級成像對照。
圖3 二維Janus VTeSe中CDW態(tài)的電子態(tài)實空間成像分析結(jié)果。
圖4 單層Janus VTeSe的電荷密度波與自旋序之間的關(guān)聯(lián)以及對應(yīng)的DFT理論計算
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