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當前位置：北京精科智創科技發展有限公司>>半導體材料設備>> HEM-500HA高低溫電磁型
| 產地 | 國產 | 加工定制 | 否 |
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關鍵詞：體載流子濃度、表面載流子濃度、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻
HEM-500HA高低溫電磁型全自動霍爾效應測試系統本儀器系統由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統軟件組成。為本儀器系統專門研制的CH-320A效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。可單獨做恒流源、微伏表使用。實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等等。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性工具。
可測試材料：
物理學參數 | 載流子濃度 （Carrier Density） | 103cm-3 ～ 1023cm-3 |
遷移率（Mobility） | 0.1cm2/volt*sec ～108cm2/volt*sec | |
電阻率范圍（Resistivity） | 10-7 Ohm*cm～1010 Ohm*cm | |
霍爾電壓 （Hall voltage） | 0.1uV ～ 10V | |
霍爾系數 | 10-5 ～ 1027cm3/C | |
可測試材料類型 | 半導體材料 | SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP,AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體材料等 |
低阻抗材料 | 石墨烯、金屬、透明氧化物、 弱磁性半導體材料、TMR材料等 | |
高阻抗材料 | 半絕緣的GaAs, GaN, CdTe等 | |
材料導電粒子 | 材料的P型與N型測試 | |
磁場環境 | 磁鐵類型 | 可變極性電磁鐵 |
磁場大小 | 2000mT（極頭間距為：10mm） 1500mT（極頭間距為：20mm） 1000mT（極頭間距為：30mm） 800mT（極頭間距為：40mm） 600mT（極頭間距為：50mm） | |
霍爾效應測試磁場 | 高低溫霍爾效應中極頭間距為40mm，此時磁場最大為800mT | |
均勻區 | 1% | |
最小分辨率 | 0.1Gs | |
可選磁環境 | 可根據客戶需求定制相關磁性大小的電磁鐵， | |
電學參數 | 電流源 | 1.00nA-1000.00mA |
電流源分辨率 | 1pA | |
測量電壓 | 0～±10V | |
電壓測量分辨率 | 0.0001mV | |
溫度環境 | 80K ～ 773K（高低溫溫度調節0.1K） | |
控溫精度 | 小于0.05%F.S±1個字 | |
其他配件 | 遮光性 | 外部安裝遮光部件，使得測試材料更加穩定 |
樣品尺寸 | 10mm*10mm（標準） 16mm*16mm（最大） | |
箱式機柜 | 600*600*1000mm | |
測試樣片 | 提供中國科學院半導體所霍爾效應 標準測試樣片及數據：1套 （硅、鍺、砷化鎵、銻化銦） | |
制作歐姆接觸 | 電烙鐵、銦片、焊錫、漆包線等 | |
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