IGBT測試難點：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協同測試。
2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試。
3、IGBT動態電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。
4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。
5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容，且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。
6、IGBT開關特性非常重要，需要進行雙脈沖動態參數的測試。
功率器件靜態參數測試系統3500V/4000A特點和優勢：
單臺Z大3500V輸出；
單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大4000A；
15us的超快電流上升沿；
同步測量；
國標全指標的自動化測試；
技術指標
| 項目 | 參數 | |
| 集電極-發射極 | Z大電壓. | 3000V |
| Z大電流 | 1000A | |
| 精度 | 0.10% | |
| 漏電流測試量程 | 1uA~100mA | |
| 柵極-發射極 | Z大電壓. | 300V |
| Z大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
| 精度 | 0.10% | |
| Z小電壓分辨率 | 30uV | |
| Z小電流分辨率 | 10pA | |
可測項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces
集電極-發射極飽和電壓Vcesat
集電極電流Ic，集電極截止電流Ices
柵極漏電流Iges，柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
柵極電阻Rg
電容測量
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
功率器件靜態參數測試系統3500V/4000A認準生產廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯功率器件分析儀集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，皮安級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。
