電子束曝光技術是在計算機控制下,按照加工要求的圖形,利用聚焦后的電子束對基片上的抗蝕劑進行曝光,在抗蝕劑中產生具有不同溶解性能的區域,根據不同區域的溶解特性,利用具有選擇性的顯影劑進行顯影,溶解性強的抗蝕劑部分被去除,溶解性差或不溶的部分保留下來,就可以得到所需要的抗蝕劑圖形。正文編輯區域參考資料編輯區域
查看詳情電子束曝光技術是在計算機控制下,按照加工要求的圖形,利用聚焦后的電子束對基片上的抗蝕劑進行曝光,在抗蝕劑中產生具有不同溶解性能的區域,根據不同區域的溶解特性,利用具有選擇性的顯影劑進行顯影,溶解性強的抗蝕劑部分被去除,溶解性差或不溶的部分保留下來,就可以得到所需要的抗蝕劑圖形。正文編輯區域參考資料編輯區域
查看詳情摘要 NMC 508RIE介質刻蝕機為電容耦合等離子體干法刻蝕機,適用6/8英寸介質層刻蝕工藝,具有高刻蝕速率和均勻性,工藝類型覆蓋前道和后道所有介質刻蝕。該機臺為多腔室集群設備,可全自動并行工藝、易維護、性能穩定、產能高、客戶擁有成本低。
在線詢價摘要NMC 508M金屬刻蝕機為高密度等離子體刻蝕機,適用6/8英寸金屬干法刻蝕工藝。具備良好的鋁線形貌控制能力、高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、低顆粒/缺陷等性能優勢。該機臺為多腔室集群設備,含金屬腔和去膠腔組合,可全自動并行工藝,PM維護周期長,性能穩定,產能高,客戶擁有成...
在線詢價摘要NMC 508CG多晶硅刻蝕機為高密度等離子體刻蝕機,適用6/8英寸多晶硅、硅等干法刻蝕工藝。具備良好的形貌控制能力、高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、低顆粒/缺陷等性能優勢。該機臺為多腔室集群設備,可全自動并行工藝,易維護、性能穩定、產能高、客戶擁有成本低 。已廣泛量產應用...
在線詢價摘要JBX-6300FS的電子光學系統在100kV的加速電壓下能自動調整直徑為(計算值)2.1nm的電子束,簡便地描畫出線寬在8nm以下(實際可達5nm)的圖形。此外,該光刻系統還實現了9nm以下的場拼接精度和套刻精度,性能比。利用最細電子束束斑(實測值直徑≦2.9nm)...
在線詢價摘要 JBX-9500FS是一款100kV圓形束電子束光刻系統,兼具高水平的產出量和定位精度,能容納300mmφ的晶圓片和6英寸的掩模版,適合納米壓印、光子器件、通信設備等多個領域的研發及生產。
在線詢價摘要 JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm節點的掩模版/中間掩模版(mask/reticle)的可變矩形電子束光刻系統。的技術實現了高速、高精度和高可靠性。是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進重復式的光刻系統?
在線詢價摘要 JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 節點的掩模版/中間掩模版(mask/reticle)的可變矩形電子束光刻系統。的技術實現了高速、高精度和高可靠性。是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進重復式的光刻系統。
在線詢價摘要PLUTO-WIN是面向科研及企業研發客戶使用需求設計的高性價比ICP等離子體系統。作為一個多功能系統,它通過優化的系統設計與靈活的配置方案,獲得高性能ICP刻蝕工藝。該設備結構緊湊占地面積小,專業的機械設計與優化的自動化操作軟件使該設備操作簡便、安全,且工藝穩定重復...
在線詢價摘要PLUTO-WIN是面向科研及企業研發客戶使用需求設計的高性價比CCP等離子體系統。作為一個多功能系統,它通過優化的系統設計與靈活的配置方案,獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設備結構緊湊占地面積小,專業的機械設計與優化的自動化操作軟件使該設備操作簡便、安全,且工藝穩定重復...
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