BKTEM-D3A型高溫材料熱電性能測試儀
關鍵詞：賽貝克系數測試儀，熱電材料，高溫熱電
塞貝克效應也叫熱電效應，兩個不同的電導體或半導體之間的溫差在兩種物質之間產生電壓差，當熱量施加到兩個導體或半導體中的一個時，加熱的電子便會流向較冷的導體或半導體。熱電材料的研究在能量保存和能源替代方面有著重要的作用,而熱電系數是熱電材料的主要參數之一通過研究不同溫度下的熱電系數并配合理論模型可得到載流子類型和能帶結構信息等.主要應用于能源效率,替代能源,汽車和燃料消耗等研究.
BKTEM-D3A型高溫材料熱電性能測試儀是一款集成度高的，應用對于熱電材料熱電性質參數賽貝克系數和電導率進行測量。
主要應用領域：
1、半導體行業
2、能源和環境工程
3、熱電測量
4、制冷行業
5、大學研究與教學
6、材料：半導體、金屬與合金
7、工業領域：汽車/航空/航天，開發研究和學術研究，半導體行業/傳感器/熱電發電機/制冷設備
二：儀器測試原理結構圖
三：主要熱電材料體系：
Bi2Te3/Sb2Te3體系
PbTe體系
SiGe體系
CoSb3為代表的方鉆礦型熱電材料
Zn4Sb3
技術特點：
可控溫場下可同步測量賽貝克系數和電阻率
標準配置進口高級商用吉時利（Keithley ）數采儀表，避免電路板集成數據采集技術帶來的干擾誤差
Keithley技術：
100nV rms 噪音本底
直流電壓靈敏度低至 10nV，基本精度為 0.002%（90天）
7ppm DCV 可重復性，基本 1 年 DCV 準確度：0.0028%
讀取速度范圍：2k 讀數/秒；
溫度分辨率：0.001℃；
交流電壓分辨率：0.1μV
電阻分辨率：1 μΩ
電流分辨率：1nA
低功耗歐姆測量模式
弱電流電路測試功能
偏置補償歐姆功能
檢定低壓元件又快又準確
提高測量精度的置信度
以低至 100μA 的源電流測量低阻抗，減少設備自發熱
進行電阻測量時控制測試電壓，避免擊穿可能已形成的任何氧化物或膜
消除會在系統環境中進行低電平電阻測量時產生錯誤的熱效應
提供更的低電阻測量
標配進口高級商用電流源（ADCMT），非電路板集成恒流源，避免無法精準輸出小電流而產生熱效應和測不準
恒流源參數：0.000-220mA；恒流設置分辨率：100nA；恒流穩定性：0.008+20nA/天
溫度范圍：RT up to 1200℃
控溫速率：0.01 –100K/min，可以節約用戶測試時間
配置垂直放樣結構，上下樣品支架夾持
測量范圍：賽貝克系數：0.5μV/K-25V/K；電阻率：0.2μOhmm-2.5KOhmm
0-80K溫差范圍可任意設置溫差值及溫差點的個數
U-I曲線自動掃描，計算出合適的電流數值， 可以測量電導率；不會對大電阻樣品產生誤差
鉑金大電極設計，和樣品可充分接觸，對于不均勻樣品也可獲得良好的導電測試
熱電偶間距可以根據樣品尺寸調節后固定，滿足不同科研要求
精度：賽貝克系數：±7%；電導系數：±7%（熱電材料測試，非康銅標樣）；
重復性：3%
高級應用程序控溫技術，包括溫差和測量步進等高級要求
自由升/降溫、控制溫度程序，進行升溫、恒溫與降溫過程中的數據測量
熱電偶探針可選K、S、R型（無需鎧裝）配置，不會產生非常大的接觸電阻
自動壓力安全保護設計，進口美國航天級硬件配置，確保測試過程中不會發生爆炸
測量系統：柱狀、片狀、長方體、薄膜等系統可選
技術規格
溫度范圍 | RT up to 1200°C | |
控溫速率 | 0.01 – 100k/min | |
控溫精度 | +/-0.25K | |
測量方法 | 賽貝克系數：靜態直流電 | 電阻系數：四端法 |
測量范圍 | 賽貝克系數：0.5μV/K-25V/K | 電阻率：0.2μOhmm-2.5KOhmm |
分辨率 | 賽貝克系數：10nV/K | 電阻率：10nOhmm |
精度 | 賽貝克系數： ± 5 % | 電導系數：± 7 % |
重復性 | 3% | |
電流 | 0 to 220 mA（可控精準≤0.005mA） 恒流設置分辨率：100nA 恒流穩定性：0.008+20nA/天 | |
數據采集 | 100nV rms 噪音本底 直流電壓靈敏度低至 10nV，基本精度為 0.002%（90天） 7ppm DCV 可重復性，基本 1 年 DCV 準確度：0.0028% 讀取速度范圍：2k 讀數/秒 溫度分辨率：0.001℃； 交流電壓分辨率：0.1μV 電阻分辨率：1 μΩ 電流分辨率：1nA | |
氣氛 | He、氧化、還原、真空(多種可選) | |
真空度 | 10E-3mbar | |
樣品尺寸 | 直徑或正方形：2 to 4 mm ；長度：6 to 22mm | |
